MOS場效應(yīng)晶體管基本概念特性及特點(diǎn)

（1）功耗低 

MOS場效應(yīng)晶體管特性是一種表面器件，它的工作原理、導(dǎo)電機(jī)理和制造方法與雙極型晶本管相比，有很大的不同。

MOS晶體管是電壓控制器件，而雙極型晶體管是電流控制器件。而導(dǎo)通一個(gè)雙極型晶體管要給基極提供電流；而導(dǎo)通一個(gè)MOS晶體管只要在控制柵極上提供一個(gè)電壓。由于柵源之間隔著阻抗高達(dá)101Ω以上的氧化膜絕緣層，因此其有很高的輸入阻抗。對于增強(qiáng)型MOS晶體管而言，在漏源之間隔著兩個(gè)“背靠背”的PN結(jié)，所以柵源、漏源之間并不存在著直接通路。因此，MOS品體管的功耗是非常低的，幾乎在不消耗輸入功率的情況下能夠維持工作，這對MOS集成電路更有重要的意義。

       NMOS增強(qiáng)型       NMOS耗盡型     PMOS端強(qiáng)型       PMOS耗盡型

圖1-8四種類型MOS品體管的轉(zhuǎn)移特性及符號

（2）器件幾何尺寸小

由于MOS晶體管的結(jié)構(gòu)簡單，因此MOS管的幾何尺寸可以做得很小。尤其在集成電路中，相當(dāng)于一只雙極型晶體管所占的面積上能放進(jìn)幾十只MOS晶體管，因此可以大大提高M(jìn)OS電路的集成度。

（3）制造工藝簡單

MOS晶體管的制造工藝步驟要比雙極型晶體管簡單，只要一次擴(kuò)散，兩次氧化，四次光刻，經(jīng)過高溫的次數(shù)少。所以容易控制，成品率較高。

MOS場效應(yīng)晶體管特性，但MOS晶體管也有它的不足之處，主要是開關(guān)速度較慢，工作頻率較低。MOS集成電路的工作速度要比等效的雙極型集成電路慢10倍到100倍，甚至更多。但近年來，經(jīng)過各方面的改進(jìn)，MOS晶體管的開關(guān)速度已有很大的提高。

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